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J-GLOBAL ID:201302221073202362   整理番号:13A1560783

緑-黄色InGaN/GaN量子井戸の光学的性質に及ぼす局所構造の影響

Effects of local structure on optical properties in green-yellow InGaN/GaN quantum wells
著者 (4件):
資料名:
巻: 8625  ページ: 86251G.1-86251G.6  発行年: 2013年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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窒化物に基づく発光ダイオード(LED)は固体照明として商用化されている。本研究では,MOCVDにより作製した多重量子井戸の障壁中に埋込まれたInGaN中間層が結晶品質と量子井戸中の内蔵電位に及ぼす影響を光ルミネセンス測定を用いて調べた。光ルミネセンス(PL)強度と減衰時間を時間分解PLから推定し,結晶品質に関する光学的性質を評価した。PLピークの励起パワー依存性から内部電場を導き,理論計算と比較した。成長条件と局所構造の最適化により,結晶品質の向上を通して内部効率が上昇することを示唆した。
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分類 (1件):
分類
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半導体のルミネセンス 

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