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J-GLOBAL ID：201302221285037647   整理番号：13A0577361

InGaN/GaN量子井戸における光ルミネセンスとテラヘルツ発生の著しく異なる挙動

Strikingly Different Behaviors of Photoluminescence and Terahertz Generation in InGaN/GaN Quantum Wells

著者 (7件)： SUN Guan (Lehigh Univ., PA, USA) ,  CHEN Ruolin (Lehigh Univ., PA, USA) ,  DING Yujie J. (Lehigh Univ., PA, USA) ,  ZHAO Hongping (Case Western Reserve Univ., OH, USA) ,  LIU Guangyu (Lehigh Univ., PA, USA) ,  ZHANG Jing (Lehigh Univ., PA, USA) ,  TANSU Nelson (Lehigh Univ., PA, USA)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 19  号： 1  ページ： 1-6  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaN多重量子井戸をTiサファイアレーザの二倍波で励起したときに同時に発生するテラヘルツ(THz)波と光ルミネセンス(PL)の性質を実験的に調べた。先ず,両者の挙動は量子井戸の周期数Nにより著しく異なることを示した。Nの増大に対してPL出力はN=4で飽和するが,THz波出力はN=16まで連続的に増大した。Nを増せばTHz波出力を更に増大できる見込みである。これはTHz波が光吸収過程においてのみ発生するからである。また,THz波の出力パワーとスペクトル,及びPLの積分強度とピーク光子エネルギーを,励起レーザフルエンスの関数として測定した。その結果,85μJ/cm²の低フルエンスにおいて,光生成キャリアにより誘起された遮蔽効果は無視できると結論した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *インジウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  *多重量子井戸 ,  サファイアレーザ ,  *発生 ,  *光ルミネセンス ,  可視発光スペクトル ,  レーザ励起 ,  *広帯域 ,  *Stark効果 ,  少数キャリア ,  光源 ,  フルエンス ,  Ti-サファイアレーザ ,  *テラヘルツ放射
準シソーラス用語： チタンサファイアレーザ ,  *テラヘルツ波発生 ,  量子閉込めStark効果 ,  レーザフルエンス

分類 (3件)： 電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L) ,  光源  (BD07020D) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  GaN ,  量子井戸 ,  光ルミネセンス ,  テラヘルツ ,  挙動