文献

J-GLOBAL ID：201302221615879615   整理番号：13A0811104

低エネルギーほう素注入シリコンの過程特性に対するインプラント温度の効果

Effects of implant temperature on process characteristics of low energy boron implanted silicon

著者 (8件)： LIU Lequn Jennifer (Micron Technol. Inc., ID, USA) ,  HSU Wei Hui (Nanya Technol. Inc., CA, USA) ,  BRUMFIELD Kyle (Micron Technol. Inc., ID, USA) ,  PADMANABHAN Radha (Micron Technol. Inc., ID, USA) ,  MORINVILLE Wendy (Micron Technol. Inc., ID, USA) ,  QIN Shu (Micron Technol. Inc., ID, USA) ,  HU Yongjun Jeff (Micron Technol. Inc., ID, USA) ,  MCTEER Allen (Micron Technol. Inc., ID, USA)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 1496  ページ： 91-94  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低エネルギー ,  ほう素 ,  注入 ,  シリコン ,  過程 ,  インプラント