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J-GLOBAL ID：201302221755873170   整理番号：13A1738986

IBIECとSPEGによるSiGe/Siの再成長特性

Regrowth characteristics of SiGe/Si by IBIEC and SPEG

著者 (5件)： AWANE K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  KOKUBO Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  YOMOGIDA M. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  NISHIMURA T. (Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 307  ページ： 399-403  発行年： 2013年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *半導体材料 ,  *結晶成長 ,  Rutherford散乱分光法 ,  エピタクシー ,  固相成長 ,  イオンビーム ,  再成長 ,  固相エピタキシャル成長
準シソーラス用語： *SiGe ,  エピタクシー成長

分類 (1件)： イオンとの相互作用  (BK16070Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiGe ,  Si ,  成長特性