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J-GLOBAL ID：201302221780313502   整理番号：13A0814671

可変しきい値を持つプロファイル意識レジストモデル

A profile-aware resist model with variable threshold

著者 (9件)： MOULIS Sylvain (ST Microelectronics, Crolles, FRA) ,  FARYS Vincent (ST Microelectronics, Crolles, FRA) ,  BELLEDENT Jerome (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  THERESE Romain (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  LAN Song (ASML Brion, CA, USA) ,  ZHAO Qian (ASML Brion, CA, USA) ,  FENG Mu (ASML Brion, CA, USA) ,  DEPRE Laurent (ASML Brion, CA, USA) ,  DOVER Russell (ASML Brion, CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8522  ページ： 85220A.1-85220A.8  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： より小さなトランジスタの追求によってリソグラフィーの分野での技術革新が発生した。Moore則に従い続けるために,いくつかの解が提案されている。すなわち,EUV,電子ビーム,そして,二重パターニングリソグラフィーである。EUVと電子ビームリソグラフィーは20nmと14nmノードの大量生産にはまだ準備が整っていないので,二重パターニングリソグラフィーがこれらのノードでは重要な役割を果たす。ここでは,自己整列二重パターニングプロセス(SADP)に焦点を当てる。これは最初のリソグラフィーステップ中に照射されるマンドレルの各面にスペーサー材料を堆積させ,ピッチを二つに分割し,基板に転送後,好ましくないパターンを2番目のリソグラフィー照射を通して切り取ることからなる。スペーサが直接レジストフランク上に堆積された特別な場合には,そのことが最終CD誤差をあるいはスペーサ崩壊を誘起するのでプロファイルを制御することは重要である。これらの欠陥が発生することを防ぐ一つの可能性はOPc検証段階でのレジストプロファイルの予想である。そのために,そのような挙動を予想できる経験的なレジストモデルを必要とする。ここでは,プロファイル意識レジストモデルを研究する。このモデルは集束露光マトリックス(FEM)を用いて取られた原子間力顕微鏡(AFM)と走査型電子顕微鏡(SEM)データによって較正される。

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  *リソグラフィー ,  閾値 ,  *モデリング ,  原子間力顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  パターン形成 ,  マンドレル

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 可変 ,  しきい値 ,  プロファイル ,  意識 ,  レジスト ,  モデル