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J-GLOBAL ID：201302221972555895   整理番号：13A0826354

SbSIヘテロ構造の光学的性質

Optical properties of SbSI heterostructures

著者 (6件)： TORON B. (Silesian Univ. Technol., POL) ,  NOWAK M. (Silesian Univ. Technol., POL) ,  GRABOWSKI A. (Silesian Univ. Technol., POL) ,  KEPINSKA M. (Silesian Univ. Technol., POL) ,  SZALA J. (Silesian Univ. Technol., POL) ,  RZYCHON T. (Silesian Univ. Technol., POL)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8497  ページ： 84971K.1-84971K.8  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電半導体SbSI単結晶を用いてSbSIヘテロ構造を初めて製作し,その特性を調べた。SbSI単結晶の選択区域をCO₂レーザ光で照射すると,そこに非晶質Sb₂S₃が生成されることがX線解析から確認された。こうしてSbSI/Sb₂S₃ヘテロ接合が生成され,一接合(ダイオード),二重接合(トランジスタ),多重接合(サイリスタ)デバイスが製作された。Sb₂S₃はSbSIより小さい0.3eV(室温)のエネルギーギャップを持つことが光透過スペクトルから示され,その温度依存性も測定された。このヘテロ接合は大きい光伝導応答を示し,その光波長及び光強度依存性も測定された。SbSIヘテロ接合は高い光感受性により光センサとして利用でき,二重ヘテロ接合はFETフォトトランジスタとして応用可能性がある。

シソーラス用語： *アンチモン化合物 ,  *硫化物 ,  *ヨウ化物 ,  強誘電半導体 ,  単結晶 ,  素子構造 ,  *レーザ照射 ,  非晶質 ,  *ヘテロ接合 ,  ダイオード ,  サイリスタ ,  エネルギーギャップ ,  温度依存性 ,  光センサ ,  フォトトランジスタ ,  炭酸ガスレーザ ,  透過率 ,  光透過 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  X線回折 ,  *光伝導 ,  *光学的性質
準シソーラス用語： 硫化アンチモン ,  ヘテロ構造

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (2件)： ヘテロ構造 ,  光学的性質