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J-GLOBAL ID：201302222338020241   整理番号：13A0580035

IrとPt下部電極上の(Ba_0.6Sr_0.4)TiO₃薄膜の反対の抵抗スイッチング特性

Opposite resistive switching characteristics for (Ba_0.6Sr_0.4)TiO₃ thin films on Ir and Pt bottom electrode

著者 (3件)： HE Xiliang (State Key Lab. of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. ...) ,  HE Xiliang (Graduate School of the Chinese Acad. of Sciences, CHN) ,  LI Xiaomin (State Key Lab. of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. ...)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 96  ページ： 100-103  発行年： 2013年04月01日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗スイッチングは,次世代不揮発性抵抗ランダムアクセスメモリの応用にとって重要な特性である。本報告では,反対の抵抗スイッチング特性がPt/Ti/BSTO/IrとPt/Ti/BSTO/Ptのデバイス構造を有するエピタキシャル成長させた(Ba_0.6Sr_0.4)TiO₃薄膜に認められた。優れた耐久性と再現性を示すバイポーラ抵抗スイッチング特性がいずれのデバイスでも得られた。結果から,電極がプロセスにおいて重要な役割を果たした。Pt/Ti/BSTO/Irデバイスでは,IrO_x-IrとTiO_x-Tiの酸化と還元がRSプロセスにつながり,Pt/Ti/BSTO/PtではTiO_x-Tiの酸化と還元がRSプロセスにつながった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ストロンチウム化合物 ,  *チタン酸塩 ,  *バリウム化合物 ,  酸化物 ,  *薄膜 ,  基板 ,  イリジウム ,  酸化マグネシウム ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  ケイ素 ,  白金 ,  *レーザ蒸着 ,  パルスレーザ照射 ,  *RAM【メモリ】 ,  電気抵抗 ,  *不揮発性メモリ ,  *エピタクシー ,  *スイッチング ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： BSTO ,  PLD【蒸着】 ,  エピタキシャル成長 ,  チタン酸バリウムストロンチウム ,  酸化物薄膜 ,  窒化チタン ,  抵抗スイッチング ,  抵抗ランダムアクセスメモリ

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ir ,  Pt ,  薄膜 ,  スイッチング特性