文献

J-GLOBAL ID：201302222997241328   整理番号：13A0035965

グラフェンプラズモン構造を用いた効率的テラヘルツ電界吸収変調

Efficient terahertz electro-absorption modulation employing graphene plasmonic structures

著者 (6件)： SENSALE-RODRIGUEZ Berardi (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  YAN Rusen (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  ZHU Mingda (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  JENA Debdeep (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  LIU Lei (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  GRACE XING Huili (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 26  ページ： 261115-261115-3  発行年： 2012年12月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンプラズモン構造に基づくテラヘルツ(THz)電界吸収変調を提案し論じた。能動素子はグラフェン層の自己ゲート対からなり,THzプラズモン共鳴を維持する構造にパターン形成した。これらの構造は,これ迄に提案されている大部分のグラフェン系素子が役に立たなくなるDrudeロールオフよりも遥かに高い周波数でも,有効THz光伝導率(従って吸収)の効率的制御を可能にする。活性グラフェン対において電場が増大するように調整した反射率に基づく素子構成により,数十THzの広い周波数範囲にわたり,非常に高い変調深さを(約100%をも)達成できることを解析により示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭素材 ,  *表面プラズモン ,  *光変調素子 ,  電磁波 ,  光伝導 ,  *グラフェン ,  テラヘルツ波
準シソーラス用語： 光伝導率 ,  *電界吸収変調器

分類 (1件)： 光変調器  (BD06020W)

タイトルに関連する用語 (3件)： テラヘルツ ,  電界吸収 ,  変調