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J-GLOBAL ID：201302223140390546   整理番号：13A0058913

磁化スイッチング用超低臨界電流による磁気抵抗メモリ

Magnetoresistive Memory with Ultralow Critical Current for Magnetization Switching

著者 (3件)： PERTSEV Nikolay A. (A. F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  PERTSEV Nikolay A. (Christian-Albrech.-Univ. zu Kiel, Kiel, DEU) ,  KOHLSTEDT Hermann (Christian-Albrech.-Univ. zu Kiel, Kiel, DEU)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 22  号： 22  ページ： 4696-4703  発行年： 2012年11月21日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新世代の不揮発性メモリを先導するスピントランスファトルク磁気ランダムメモリ(STT-MRAM)について,磁化スイッチングに必要なスピン偏極電流の密度が格子歪及び/又は表面磁気異方性によって誘発されるスピン再配向転移近傍で劇的に減少することを理論計算で示した。Curie温度以上で典型的な(001)結晶配向した自由及び固定磁気層より成る磁気トンネル接合と巨大磁気抵抗を中心に磁化動力学の基本方程式を導出し,歪駆動及びサイズ誘起スピン再配列転移,スピン再配列転移近傍の臨界電流密度,データ記憶の熱安定性,さらに異方性基板誘起歪の影響について説明した。Co₄₀Fe₆₀合金系のSTT-MRAMは低い書込電流と約500Gbit inch^-2の高密度でも情報記憶の非常に高い熱安定性(10年を超える保持力)を合わせもちうることなどが分かった。

シソーラス用語： *MRAM ,  不揮発性メモリ ,  *臨界電流 ,  スイッチング ,  磁化 ,  *計算機シミュレーション ,  *動力学 ,  スピン分極 ,  電流 ,  トンネル接合 ,  スピン再配列 ,  金属間化合物 ,  鉄合金 ,  コバルト含有合金 ,  データ書込 ,  情報蓄積 ,  *熱安定性
準シソーラス用語： スピン偏極電流 ,  *磁化スイッチング ,  *磁化動力学 ,  磁気トンネル接合 ,  *磁気抵抗メモリ ,  書込電流 ,  情報記憶

分類 (2件)： 入出力装置  (JC04050U) ,  その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (3件)： 磁化スイッチング ,  臨界電流 ,  磁気抵抗メモリ