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J-GLOBAL ID：201302223417241870   整理番号：13A1884523

分子動力学法による二種類の欠陥を含んだSiC微結晶粒の構造解析

Structural analysis of SiC nanocrystallites with two types of defects by the molecular dynamics simulations

著者 (2件)： 大門尚貴 (石川工高専) ,  竹下哲義 (石川工高専)
資料名： 石川工業高等専門学校紀要  (Memoirs of National Institute of Technology, Ishikawa College)
号： 45  ページ： 45-51  発行年： 2013年03月29日 
JST資料番号： S0861A  ISSN： 0286-6110  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素,SiCのナノ結晶粒内に化学量論的化学組成を保ったまま同数の2種類のアンチサイト欠陥を導入した場合の,欠陥がナノ結晶粒に及ぼす影響を,計算機シミュレーションを用いてナノ結晶粒の構造を解析することにより調べた。原子にかかる力の決定にTersoffポテンシャルを用いた。SiC多形のうち,キャリア移動度の大きい立方晶系を用いた。2種類同数の欠陥導入でナノ粒子内の化学量論組成が変わらないにもかかわらず,欠陥導入割合が増加すると格子間距離は伸びた。原子配置が変わることが結晶歪を誘起した。化学量論組成が変化するSiアンチサイトのみの場合,格子間距離は欠陥0%のときより伸び,逆にC欠陥のみ導入の場合は縮んだ。Si-Si結合の格子間距離の伸びは,C-C結合の縮む力よりも大きく影響することもわかった。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  ナノ結晶 ,  *格子欠陥 ,  *化学量論 ,  非化学量論 ,  化学組成 ,  立方晶系 ,  結晶構造 ,  核間距離 ,  原子間ポテンシャル ,  キャリア移動度 ,  *格子歪 ,  *分子動力学 ,  *計算機シミュレーション ,  化合物半導体 ,  構造緩和 ,  解析モデル ,  欠陥密度
準シソーラス用語： アンチサイト欠陥 ,  結合距離 ,  Tersoffポテンシャル ,  *分子動力学シミュレーション

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (3件)：

• 1)T. Takeshita :“Analysis and location of antisite defects in polycrystalline SiC”,Journal of Applied Physics 103,063521 (2008)
• 2)岡崎進:“コンピュータシミュレーションの基礎”化学同人,2000年
• 3)J. Tersoff :“New empirical approach for the structure and energy of covalent Systems”Physical Review B 37,6991 (1988)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子動力学法 ,  欠陥 ,  SiC ,  微結晶 ,  構造解析