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J-GLOBAL ID：201302223844312362   整理番号：13A1108204

ウルツ鉱型窒化ガリウムの円柱歪量子ドットでのイオン化アクセプタ束縛エキシトンによるバンド間光学遷移

Interband optical transitions due to ionized acceptor bound excitons in wurtzite GaN strained cylindrical quantum dot

著者 (2件)： Zheng Dongmei (Dep. of Physics and Electromechanical Engineering,Sanming Coll., Sanming) ,  Wang Zongchi (Dep. of Physics and Electromechanical Engineering,Sanming Coll., Sanming)
資料名： Liangzi Dianzi Xuebao  (Liangzi Dianzi Xuebao)
巻： 29  号： 4  ページ： 385-391  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2419A  ISSN： 1007-5461  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 有限ポテンシャル障壁のウルツ鉱型窒化ガリウムの円柱量子ドット(QD)での強いビルトイン電場(BEF)を考慮して,イオンで束縛された励起子(イオン化アクセプタ束縛励起子(A-,X)と呼ばれる)でのバンド間光学遷移を変分法で理論的に研究した。数値解析の結果において,発光波長は,障壁物質AlxGa1-xNのアルミニウム組成x,イオン化アクセプタの位置,QDサイズ(LとR)に依存した。QD高さ,QD半径およびアルミニウム組成xを増大すると,遷移波長は増大した。イオン化アクセプタがQDの左障壁からz方向に沿って移動した場合,発光波長は最初に増大した。アクセプタがQDの左界面付近にある場合,発光波長が最大になった。アクセプタが右の方に連続的に動く場合,遷移波長が減少した。アクセプタがQDの右界面付近にあると遷移波長の極小値が得られた。アクセプタがQDの左障壁の方に動くならば,波長が再び増大した。アクセプタの位置がQDの中心から移動した場合,発光波長が増大した。アクセプタのない自由励起子状態と比較して,QD中心の左側にイオン化アクセプタ不純物を導入することで発光波長が増大した。QD中心の右側にイオン化アクセプタ不純物を導入することで発光波長が減少した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： ポテンシャル障壁 ,  アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  アクセプタ ,  *量子ドット ,  *電子遷移 ,  バンドギャップ ,  イオン化 ,  *励起子 ,  *ウルツ鉱型結晶 ,  円柱 ,  束縛状態 ,  変分法 ,  *光ルミネセンス ,  界面
準シソーラス用語： バンド間遷移 ,  光学遷移

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (11件)： ウルツ鉱 ,  窒化ガリウム ,  円柱 ,  歪 ,  量子ドット ,  イオン化 ,  アクセプタ ,  束縛 ,  エキシトン ,  バンド ,  光学遷移