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J-GLOBAL ID：201302223909305172   整理番号：13A0343834

有力なサブストレート上の不均一核生成のエピタキシャルモデル

An Epitaxial Model for Heterogeneous Nucleation on Potent Substrates

著者 (1件)： FAN Zhongyun (Brunel Solidification Centre for Advanced Technol. (BCAST), Brunel Univ., UB8 3PH, Uxbridge, Middlesex, U.K.)
資料名： Metallurgical and Materials Transactions. A. Physical Metallurgy and Materials Science  (Metallurgical and Materials Transactions. A. Physical Metallurgy and Materials Science)
巻： 44  号： 3  ページ： 1409-1418  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： E0265B  ISSN： 1073-5623  CODEN： MTTABN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文で,著者らは有力なサブストレート上の不均一核生成のエピタキシャルモデルを提案した。固相(S)の有力なサブストレート(N)上の不均質核生成は臨界過冷度(ΔT_c)下でサブストレート表面上に偽形の固相(PS)の層のエピタキシャル成長によって生ずる。整合なPS/N界面を持つPS層はサブストレートの原子配列を模倣し,層の厚さとともにミスフィットエネルギーが線型に増加する事となる。臨界厚さ(h_c)において,弾性歪みエネルギーは臨界値に達し,この臨界点で,PS層における弾性歪みエネルギーを解放するためミスフィット転位が生成される。これが歪のあるPS層を歪の無い固相(S)に,また初期の整合PS/N界面を部分整合のS/N界面に転換させる。この臨界厚さを越えると,さらなる成長は無歪み的で,凝固が成長段階に入りこむ。固体とサブストレート間の格子ミスフィット(f)はh_cとΔT_cの両者に強い影響を与え,格子ミスフィットエネルギーの増加と共に,h_cは減少し,ΔT_cは増加する。粒微細化に関する文献の一般的に受け入れられている実験的発見を定性的に説明し,有効粒微細化への一般的アプローチを解析するために,このエピタキシャル核生成モデルを利用すべきである。Copyright 2012 The Minerals, Metals & Materials Society and ASM International Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *基板 ,  *核形成 ,  *エピタクシー ,  度 ,  ミスフィット ,  結晶粒微細化 ,  歪 ,  格子不整合 ,  転位【結晶】
準シソーラス用語： 過冷度 ,  弾性歪 ,  *不均一核形成

分類 (2件)： 金属の結晶成長  (BK13030M) ,  凝固  (WC01050M)

タイトルに関連する用語 (2件)： サブストレート ,  均一核生成