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J-GLOBAL ID：201302223916204977   整理番号：13A0948558

グラフェンを超える二次元物質における進歩,挑戦及び機会

Progress, Challenges, and Opportunities in Two-Dimensional Materials Beyond Graphene

著者 (22件)： BUTLER Sheneve Z. (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  HOLLEN Shawna M. (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  CAO Linyou (North Carolina State Univ., North Carolina, USA) ,  CUI Yi (Stanford Univ., California, USA) ,  GUPTA Jay A. (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  GUTIERREZ Humberto R. (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  HEINZ Tony F. (Columbia Univ., New York, USA) ,  HONG Seung Sae (Stanford Univ., California, USA) ,  HUANG Jiaxing (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  ISMACH Ariel F. (Univ. Texas at Austin, Texas, USA) ,  JOHNSTON-HALPERIN Ezekiel (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  KUNO Masaru (Univ. Notre Dame, Indiana, USA) ,  PLASHNITSA Vladimir V. (Univ. Notre Dame, Indiana, USA) ,  ROBINSON Richard D. (Cornell Univ., New York, USA) ,  RUOFF Rodney S. (Univ. Texas at Austin, Texas, USA) ,  SALAHUDDIN Sayeef (Univ. California, California, USA) ,  SHAN Jie (Case Western Reserve Univ., Ohio, USA) ,  SHI Li (Univ. Texas at Austin, Texas, USA) ,  SPENCER Michael G. (Cornell Univ., New York, USA) ,  TERRONES Mauricio (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  WINDL Wolfgang (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  GOLDBERGER Joshua E. (Ohio State Univ., Ohio, USA)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 7  号： 4  ページ： 2898-2926  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは,単分子或いは数分子層のvan der Waals層を形成し,有用な物性を持っているが,物性的にグラフェンを超える2D物質についてレビューした。基板上で2Dのエピタキシー成長を行うものとして,C₆₀,MoS₂,GaS,GeS,TaS₂,WS₂,HfS₂,CdS,SnS₂,SnSe₂,Bi₂Se₃,BiTe₂Se,ZnSe,MoSe₂,GaSe,NbSe₂,CdTe及びPbTeを検討した。溶液中及びウエハ上での単一層,数層及び多層の調製法を述べた。単一層の同定と特性化法としてのAFM,TEM,HRTEM,SEM,XRDやRaman分光の例を示した。表面を操作して電子状態を調整する方法を考察した。これら2D物質のFET,スピントロニクス,熱電デバイス及びトポロジー絶縁体への利用について光を当てた。

シソーラス用語： 低次元系 ,  *炭素材 ,  *ナノ構造 ,  *膜 ,  エピタクシー ,  *層 ,  van der Waals分子 ,  FET【トランジスタ】 ,  スピントロニクス ,  熱電素子 ,  絶縁材料 ,  フラーレンC60 ,  硫化モリブデン ,  ガリウム化合物 ,  硫化物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  タンタル化合物 ,  タングステン化合物 ,  ハフニウム化合物 ,  硫化カドミウム ,  スズ化合物 ,  セレン化物 ,  ビスマス化合物 ,  セレン化亜鉛 ,  セレン化ニオブ ,  テクネチウム化合物 ,  鉛化合物 ,  電子状態 ,  単分子層 ,  多分子層 ,  *グラフェン ,  *ナノシート ,  絶縁体 ,  トポロジカル絶縁体 ,  *エピタキシャル層 ,  セレン化ガリウム ,  セレン化スズ ,  セレン化ビスマス ,  硫化ガリウム ,  硫化ゲルマニウム ,  硫化スズ ,  硫化タングステン ,  硫化タンタル
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,  スピントロニクス素子 ,  トポロジー絶縁体 ,  熱電デバイス ,  二次元系

分類 (3件)： 薄膜一般  (BK14010X) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  物質 ,  機会