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J-GLOBAL ID：201302223948184447   整理番号：13A0931185

FET大信号モデルの等価キャパシタンス方程式の改良

Improvement of the Equivalent Capacitance Equation in FET′S Large Signal Model

著者 (1件)： Zheng Weibin (Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 32  号： 2  ページ： 105-109  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： FETの大信号インピーダンスを正確に記述することは,MMIC設計にとって非常に重要である。FETの大号特性をシミュレーションするためには,大信号モデル,特に高周波において,そのゲート等価キャパシタンスモデルの研究が必要である。以前の結果に基づき,本論文は新しいゲート0ソース/ゲート-レインキャパシタンス方程式を推論した。6×80μmGaAsPHEMT装置の負荷引張結果を比較することによって,正確なゲート等価キャパシタンスモデルがFETの大信号モデルの精度を大幅に改善することを示した。これは,装置モデルとMMIC設計の研究の助けになる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *静電容量 ,  モデル ,  FET【トランジスタ】 ,  シミュレーション ,  インピーダンス ,  回路設計 ,  MMIC ,  HF【周波数】
準シソーラス用語： *キャパシタンス ,  大信号モデル ,  IC設計 ,  高周波

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： FET ,  大信号モデル ,  等価 ,  キャパシタンス ,  方程式