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J-GLOBAL ID：201302224077998241   整理番号：12A1798784

各種ゲート絶縁体を有する非晶質In-Ga-Zn-O金属-酸化物-半導体ダイオードにおける電子構造に対するH及びOHの脱着と拡散の効果

Effect of H and OH desorption and diffusion on electronic structure in amorphous In-Ga-Zn-O metal-oxide-semiconductor diodes with various gate insulators

著者 (6件)： HINO Aya (Electronics Res. Lab., Kobe Steel, Ltd., 1-5-5 Takatsuka-dai, Nishi-ku, Kobe 651-2271, JPN) ,  MORITA Shinya (Electronics Res. Lab., Kobe Steel, Ltd., 1-5-5 Takatsuka-dai, Nishi-ku, Kobe 651-2271, JPN) ,  YASUNO Satoshi (Electronics Div., KOBELCO Res. Inst., Inc., 1-5-5 Takatsuka-dai, Nishi-ku, Kobe 651-2271, JPN) ,  KISHI Tomoya (Electronics Res. Lab., Kobe Steel, Ltd., 1-5-5 Takatsuka-dai, Nishi-ku, Kobe 651-2271, JPN) ,  HAYASHI Kazushi (Electronics Res. Lab., Kobe Steel, Ltd., 1-5-5 Takatsuka-dai, Nishi-ku, Kobe 651-2271, JPN) ,  KUGIMIYA Toshihiro (Electronics Res. Lab., Kobe Steel, Ltd., 1-5-5 Takatsuka-dai, Nishi-ku, Kobe 651-2271, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 11  ページ： 114515-114515-7  発行年： 2012年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題のMOSダイオードについて容量電圧特性及び等温容量過渡分光(ICTS)測定を行い,非晶質In-Ga-Zn-O(a-IGZO)膜におけるH及びOHの脱着と拡散が電子構造に及ぼす効果を評価した。空間電荷(SC)の分布と密度はゲート絶縁体(GI)の性質に依存する。熱成長SiO₂のGIではSCがa-IGZOとGIの界面付近に見られる。アニール後に膜の深部のSC密度は減少するが,界面では変わらない。ICTSスペクトルは二つの幅広いピークから成る。アニール後には,界面及びバルクでそれぞれ一つのピークとなる。トラップ密度は界面付近で高い。一方,化学蒸着(CVD)GIでは,SC密度がMOSの全バルク領域で高い。CVD-GIのMOSダイオードのICTSから,連続分布トラップ状態の存在が分かった。これは伝導帯下方の高密度テール状態の形成を示唆する。SIMS分析によれば,CVD-GI試料でH及びOHの脱着と外方拡散が見られる。これによりa-IGZO膜の構造が揺らぎ,テール状態が生じる。MOSダイオードと同じゲート構造のTFTを作製し,その性能と電子構造の相関を調べた。CVD-GIのTFTは飽和移動度が低下する。これはa-IGZOの電子構造がGI特性とともにプロセス条件に影響されることを示す。高性能電子素子を得るには膜密度や水素含有量などのGI特性の制御が重要と結論する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化物 ,  *MOS構造 ,  MOSFET ,  酸化膜 ,  プラズマCVD ,  *電子構造 ,  空間電荷 ,  捕獲中心 ,  状態密度 ,  焼なまし ,  脱着 ,  拡散 ,  水素 ,  水酸化物 ,  容量電圧特性 ,  過渡応答 ,  薄膜トランジスタ ,  非晶質半導体 ,  半導体薄膜 ,  ゲート絶縁膜

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  非晶質の電子構造一般  (BM02041I)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゲート絶縁体 ,  非晶質 ,  In-Ga-Zn-O ,  酸化物 ,  半導体ダイオード ,  電子構造 ,  脱着 ,  拡散