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J-GLOBAL ID:201302224111575215   整理番号:13A1476523

3C-SiCの研究進展:CVDによる調製とMEMSにおける応用

Research Progress of 3C-SiC: Preparation by CVD and Application in MEMS
著者 (5件):
資料名:
巻: 26  号: 11A  ページ: 13-16  発行年: 2012年 
JST資料番号: C2126A  ISSN: 1005-023X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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苛酷な環境で利用される観察と制御システム(例えば高温,強い衝撃/振動,腐食流動,腐食媒体,および高湿分)はMEMS技術に関する多くの難問を提示した。炭化ケイ素(SiC)は焼直し環境で用いられるMEMS用の非常に魅力的特性を有する材料である。化学的不活発性,高い熱伝導性,好ましい電気特性,機械的強度,および高温度での操作性のようなその特別な特性はそれをSiベースのMEMSに対する競争的代替策にした。CVD調製方法,機械的と電気的特性の調査を含む3C-SiC膜の進展に関するレビューについて示した。最後に,3C-SiCのMEMS素子に関する研究の現状について紹介される,そして,いくつかの用例は示される。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
炭素とその化合物 

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