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J-GLOBAL ID：201302224497528933   整理番号：13A1892164

超高レートスーパーキャパシタのための垂直配向グラフェン橋架け活性層/集電体界面

Vertically Oriented Graphene Bridging Active-Layer/Current-Collector Interface for Ultrahigh Rate Supercapacitors

著者 (11件)： BO Zheng (Zhejiang Univ., Zhejiang Province, CHN) ,  ZHU Weiguang (Zhejiang Univ., Zhejiang Province, CHN) ,  MA Wei (Zhejiang Univ., Zhejiang Province, CHN) ,  WEN Zhenhai (Univ. Wisconsin-Milwaukee, Wisconsin, USA) ,  WEN Zhenhai (Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU) ,  SHUAI Xiaorui (Zhejiang Univ., Zhejiang Province, CHN) ,  CHEN Junhong (Univ. Wisconsin-Milwaukee, Wisconsin, USA) ,  YAN Jianhua (Zhejiang Univ., Zhejiang Province, CHN) ,  WANG Zhihua (Zhejiang Univ., Zhejiang Province, CHN) ,  CEN Kefa (Zhejiang Univ., Zhejiang Province, CHN) ,  FENG Xinliang (Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 25  号： 40  ページ： 5799-5806  発行年： 2013年10月25日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンを活性層,ニッケル箔または発泡体を集電体とする対称形スーパーキャパシタを作製し,活性層とニッケル発泡体集電体との間の垂直配向グラフェンの効果を調べた。プラズマCVDを用いてニッケル発泡体表面に150nm×150nm程度のサイズの垂直配向グラフェンナノシートを成長させ,サイクリックボルタンメトリー(CV)および電気化学インピーダンス分光法を用いて集電体の有無,集電体の種類および垂直配向グラフェンの効果を検討した。垂直配向グラフェン橋架け活性層/集電体界面を用いるとCVの電流密度を50倍に増加しても比静電容量は約10%しか低下せず,高レート(速度)充放電が可能であった。

シソーラス用語： *電力コンデンサ ,  活性層 ,  界面 ,  *炭素材 ,  充電 ,  放電 ,  電流密度 ,  *ニッケル ,  多孔質体 ,  グラフェン
準シソーラス用語： スーパーキャパシタ ,  固固界面 ,  集電体 ,  充放電 ,  発泡体

分類 (3件)： 電極過程  (CB07040U) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  特殊電力機器一般  (NB10010G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 垂直配向 ,  グラフェン ,  橋架け ,  活性層 ,  集電体 ,  界面