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J-GLOBAL ID：201302225000789344   整理番号：13A1738122

単層グラフェンの欠陥への酸素分子の吸着の第1原理予測

First-principles Prediction on Adsorption of Oxygen Molecule onto Defect in Single-layer Graphene

著者 (4件)： GUANG Hong (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  AOKI Masato (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  TANAKA Shingo (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Osaka, JPN) ,  KOHYAMA Masanori (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Osaka, JPN)
資料名： Transactions of the Materials Research Society of Japan  (Transactions of the Materials Research Society of Japan)
巻： 38  号： 3  ページ： 477-480  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： L4468A  ISSN： 1382-3469  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンはその二次元構造,高導電性,分子吸着に対する低ノイズ電子物性と感度のため単分子検出材料として期待される。Stone-Thrower-Wales(STW)欠陥を有する単層グラフェンへのO₂分子の吸着を第1原理計算により調べた。吸着エネルギー,低エネルギーバンド構造の変化及びSTW欠陥の存在による影響を調べた。欠陥のないグラフェンに物理吸着したO₂分子はグラフェンπバンドとの混成化により正孔ドーパントとして作用した。STW欠陥が存在するグラフェンでは欠陥のC-C二量体がより有利な吸着サイトを提供し,O₂物理吸着をより強固なものとした。

シソーラス用語： *炭素材 ,  グラファイト ,  単一層 ,  *欠陥 ,  *酸素 ,  *吸着 ,  *第一原理 ,  予測 ,  *密度汎関数法 ,  *物理吸着 ,  バンド構造 ,  正孔 ,  ドーパント
準シソーラス用語： *単層グラフェン ,  密度関数理論

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

引用文献 (13件)：

• F. Schedin, A. K. Geim, S. V. Morozov, E. W. Hill, P. Blake, M. I. Katsnelson, and K. S. Novoselov, Nature Mater. 6, 652-5 (2007).
• Y. Yang, and R. Muralia, Appl. Phys. Lett., 98, 093116 (2011).
• C.-K. Lu, and H.-F. Phys. Rev B, 75, 235206 (2007).
• A. J. Stone, and D. J. Wales, Chem. Phys. Lett., 128, 501-3 (1986).
• P. A. Thrower, “Chemistry and Physics of Carbon”, Ed. by P. L. Walker, Jr., Dekker, New York (1969), Vol. 5, pp. 262-3.

タイトルに関連する用語 (6件)： 単層グラフェン ,  欠陥 ,  酸素分子 ,  吸着 ,  第1原理 ,  予測