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J-GLOBAL ID：201302225111697473   整理番号：13A1485980

SiC結晶の溶液成長におけるステップ集団化に及ぼす溶液流の影響

Influence of Solution Flow on Step Bunching in Solution Growth of SiC Crystals

著者 (8件)： ZHU Can (Harbin Inst. of Technol., Shenzhen, CHN) ,  ZHU Can (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HARADA Shunta (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SEKI Kazuaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZHANG Huayu (Harbin Inst. of Technol., Shenzhen, CHN) ,  NIINOMI Hiromasa (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAGAWA Miho (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  UJIHARA Toru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 13  号： 8  ページ： 3691-3696  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCの溶液成長における表面ステップの集団化を溶液流により制御した。溶液表面に置く種結晶をるつぼの中心から外して設置し,るつぼを一方向に回転することにより溶液流方向を制御した。平行流の下では成長した結晶表面に間隔が広い蓄積した巨大ステップが見られ,結晶面が粗くなった。一方,逆平行流では巨大ステップの発達が抑制された。成長の進行とともに平行流では成長面の表面粗さが増すが,逆平行流では表面粗さが低減した。この事実は溶液流制御がSiC単結晶の溶液成長の際のステップ集団化の抑制に対する効果的な方法といえることを示す。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *単結晶 ,  *溶液成長 ,  種結晶 ,  坩堝 ,  回転 ,  *液体流 ,  平行流 ,  逆流 ,  *表面ステップ ,  集合 ,  *表面粗さ
準シソーラス用語： 逆平行流

分類 (2件)： 固-液界面  (CB12050B) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  結晶 ,  溶液成長 ,  溶液