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J-GLOBAL ID：201302225143099209   整理番号：13A1859678

有機薄膜トランジスタ用のTiO₂-ポリ(4-ビニルフェノール)ナノ複合誘電体

TiO₂-poly(4-vinylphenol) nanocomposite dielectrics for organic thin film transistors

著者 (4件)： KIM Young-jae (Dep. of Chemistry, Seoul National Univ., Seoul 151-747, KOR) ,  KIM Joohee (Dep. of Nano Sci. & Technol., Graduate School of Convergence Sci. and Technol., Seoul National Univ., Seoul 151-742, KOR) ,  KIM Youn Sang (Dep. of Nano Sci. & Technol., Graduate School of Convergence Sci. and Technol., Seoul National Univ., Seoul 151-742, KOR) ,  LEE Jin-kyu (Dep. of Chemistry, Seoul National Univ., Seoul 151-747, KOR)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 14  号： 12  ページ： 3406-3414  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フィラーとしてのチタニア(TiO₂)ナノ粒子と,マトリクスとしてのポリ(4-ビニルフェノール)から成るナノ複合体ゲート絶縁体材料を組み込むことによる,低電圧で動作する有機薄膜トランジスタ(OTFT)の作製について報告する。ナノ粒子の表面は,ポリマーとの相溶性を向上させる為に配位子,4-ヒドロキシ安息香酸により修飾した。配位子の構造は,ポリマー中の繰り返し単位と同様である。ナノ粒子が均一にポリマーマトリックス中に分散した後,それらをポリ(メラミン-コ-ホルムアルデヒド)メチレート/ブチレート(架橋剤)によりPVP(ポリ(4-ビニルフェノール))に架橋して固定化した。従って,透過型電子顕微鏡(TEM)により観察されるように,31重量%の濃度であってもナノ複合体中にはナノ粒子の有意な凝集は見出されなかった。その結果,ナノ複合体は,低いリーク電流密度(~10^-8A/cm^-2)を示した。添加したTiO₂ナノ粒子の濃度の増加に伴い,ナノ複合材料の誘電率はまた,自然のままのPVPのそれと比較して比例的に増加した。電荷キャリア移動度,オン/オフ比,閾値電圧,及びヒステリシスの点で,OTFTの性能を評価した。また,TiO₂ナノ粒子の濃度とデバイス性能との関係を詳細に議論した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  ナノ構造 ,  *複合膜 ,  誘電体 ,  ポリビニルフェノール ,  *酸化チタン ,  ナノ粒子 ,  絶縁膜 ,  *誘電体薄膜 ,  高分子架橋剤 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： TiO2ナノ粒子 ,  ゲート絶縁体 ,  ナノ複合膜 ,  *有機薄膜トランジスタ ,  *二酸化チタン

分類 (5件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  薄膜一般  (BK14010X) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： 4-ヒドロキシ安息香酸

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機薄膜トランジスタ ,  TiO2 ,  4-ビニルフェノール ,  ナノ複合誘電体