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J-GLOBAL ID：201302225362827341   整理番号：13A0779552

ほぼ1の谷分極を持つ高い光学品質のMoS₂単層の気相-固相成長

Vapor-Solid Growth of High Optical Quality MoS₂ Monolayers with Near-Unity Valley Polarization

著者 (6件)： WU Sanfeng (Univ. Washington, Washington, USA) ,  HUANG Chunming (Univ. Washington, Washington, USA) ,  AIVAZIAN Grant (Univ. Washington, Washington, USA) ,  ROSS Jason S. (Univ. Washington, Washington, USA) ,  COBDEN David H. (Univ. Washington, Washington, USA) ,  XU Xiaodong (Univ. Washington, Washington, USA)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 7  号： 3  ページ： 2768-2772  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属二カルコゲン化物(TMDC)単一層は,ナノエレクトロニクス,オプトエレクトロニクス,電気化学的センシングなどへの応用が考えられる先進材料の一つである。また,最近の理論的な研究から,この超薄直接半導体系は,Bloch電子の谷自由度を探るための理想的な系であることが明らかにされた。このことは,機械的に膨張させた単層MoS₂試料における偏光分解フォトルミネセンスから,Dirac谷分極を観測することにより実験的に実証された。本研究では,触媒を使わずに,気相-固相成長機構を用いて,SiO₂,サファイヤ,ガラスなどの様々な基板上で単結晶MoS₂単層の作製法を開発した。この方法で作製した試料は,高い光学品質を持ち,その大きさは最大で25μmのサイズに達した。また,この方法は簡単でかつ信頼性が高く,実質的に欠陥が存在しないことがわかった。結晶の光学品質が非常に高いことは,谷分極が30Kでほぼ1に達し,室温でさえ35%の大きさを保つという事実により実証された。本合成法は,非常に優れた電気特性を持つオプトエレクトロニクス単層素子を作製し,その性能を調べることを可能にするものである。

シソーラス用語： 品質 ,  *薄膜成長 ,  *硫化モリブデン ,  カルコゲン化物 ,  光ルミネセンス ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 光学品質 ,  *気相-固相成長 ,  フォトルミネセンス ,  酸化物半導体

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 谷 ,  分極 ,  光学品質 ,  MoS2 ,  単層 ,  気相-固相成長