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J-GLOBAL ID：201302225426576054   整理番号：13A1324687

Co2MnSi(001)/MgO界面の構造,化学的性質,電気的性質

Structural, chemical, and electronic properties of the Co2MnSi(001)/MgO interface
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著者 (7件)：
FETZER Roman

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(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)

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WUESTENBERG Jan-Peter

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(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)

Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について

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TAIRA Tomoyuki

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(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)

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UEMURA Tetsuya

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(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)

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YAMAMOTO Masafumi

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(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)

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AESCHLIMANN Martin

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(Univ. Kaiserslautern, Kaiserslautern, DEU)

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CINCHETTI Mirko

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(Univ. Kaiserslautern, Kaiserslautern, DEU)

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資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について


巻： 87  号： 18  ページ： 184418.1-184418.7  発行年： 2013年05月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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磁気トンネル接合(MTJ)はプロトタイプのスピントロニクス素子で,絶縁障壁で分離した二本の強磁性リードからなる。本論文では,半金属Co2MnSi(CMS)と絶縁性MgOからなる先端的トンネル磁気抵抗(TMR)素子の界面形成を低速電子回折,Auger分光法,低エネルギースピン分解光電子分光法を用いて包括的に調べた。薄い(≦10ML)MgOに対して,MgO表面の元素組成と結晶秩序の有意なずれを認めた。CMS/MgO界面のスピンに依存する電気的性質をスピン分解光電子放出により調べた。薄い試料では結晶構造と光電子スペクトルが焼なましにより大きく変化した。
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*酸化マグネシウム

酸化マグネシウム について

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*ケイ酸塩

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マンガン化合物

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コバルト化合物

コバルト化合物 について

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半金属

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*TMR素子

TMR素子 について

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低速電子回折

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Auger分光法

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光電子分光法

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化学組成

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結晶構造

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界面

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元素組成

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準シソーラス用語：
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トンネル磁気抵抗効果素子

トンネル磁気抵抗効果素子 について


分類 (1件)：
分類
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磁電デバイス 
(NC03100X)

磁電デバイス について

タイトルに関連する用語 (4件)：
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MgO

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界面

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化学的性質

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電気的性質

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