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J-GLOBAL ID：201302225481613350   整理番号：13A0054961

Ag₃PC₄^VI(C=O,S,Se)の電子および光触媒特性:系統的なハイブリッドDFT検討

Electronic and Photocatalytic Properties of Ag₃PC₄^VI (C = O, S, Se): A Systemic Hybrid DFT Study

著者 (5件)： MA Zuju (Fujian Inst. of Res. on the Structure of Matter, Chinese Acad. of Sci., Fuzhou, CHN) ,  MA Zuju (Graduate Univ., Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YI Zhiguo (Fujian Inst. of Res. on the Structure of Matter, Chinese Acad. of Sci., Fuzhou, CHN) ,  SUN Jing (Fujian Inst. of Res. on the Structure of Matter, Chinese Acad. of Sci., Fuzhou, CHN) ,  WU Kechen (Fujian Inst. of Res. on the Structure of Matter, Chinese Acad. of Sci., Fuzhou, CHN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 47  ページ： 25074-25080  発行年： 2012年11月29日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ag₃PO₄より更に優れた水分解用光触媒の開発を目指してハイブリッド密度汎関数法によりAg₃PC₄^VI(C=O,S,Se)の電子構造および光触媒特性を理論的に調べた。Ag₃PO₄のバンドギャップの計算値は実験値の2.45eVを良く再現した。Ag₃PSe₄のバンドギャップは2.09eVと計算され,可視光吸収に有利であるとともに水の還元に適切な還元電位(-0.275V対標準水素電極,NHE)であることを見出した。Ag₃PS₄はバンドギャップは2.88eVと比較的大きいが,寧ろやや負の還元電位(-0.53V対NHE)を備えていることが判った。

シソーラス用語： *銀化合物 ,  リン酸塩 ,  硫酸塩 ,  *セレン酸塩 ,  分解反応 ,  *光触媒 ,  密度汎関数法 ,  電子構造 ,  バンドギャップ ,  酸化還元電位
準シソーラス用語： *還元電位 ,  *水分解

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Se ,  電子 ,  触媒特性 ,  DFT