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J-GLOBAL ID：201302226292965519   整理番号：13A0505966

直接乾いたエッチングによって織ったAZO透明導電性薄膜の前処理と調査

Preparation and Investigation of Textured AZO Transparent Conductive Thin Film by Directly Dry Etching

著者 (6件)： Wang Wenna (School of Optical-Electrical and Computer Engineering, Univ. of Shanghai for Sci. and Technol., Shanghai) ,  Zhang Dawei (School of Optical-Electrical and Computer Engineering, Univ. of Shanghai for Sci. and Technol., Shanghai) ,  Tao Chunxian (School of Optical-Electrical and Computer Engineering, Univ. of Shanghai for Sci. and Technol., Shanghai) ,  Huang Yuanshen (School of Optical-Electrical and Computer Engineering, Univ. of Shanghai for Sci. and Technol., Shanghai) ,  Ni Zhengji (School of Optical-Electrical and Computer Engineering, Univ. of Shanghai for Sci. and Technol., Shanghai) ,  Zhuang Songlin (School of Optical-Electrical and Computer Engineering, Univ. of Shanghai for Sci. and Technol., Shanghai)
資料名： Guangdian Gongcheng  (Guangdian Gongcheng)
巻： 39  号： 2  ページ： 147-150  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2092A  ISSN： 1003-501X  CODEN： GUGOEC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： RFスパッタリングでアルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)透明導電性薄膜を調製して,イオンエッチングを用いて表面織りAZO透明導電性薄膜を得た。フィルムの光学的,電気的,構造的機能に及ぼすイオンエッチングの影響を調査した。透過率において微減が見られたが,透過率は可視スペクトルにおいてなおも80%以上である。抵抗はわずかに増加したが,なおも10(-3)Ωcmレベルでは,最小抵抗は2.91×10(-3)Ωcmである。表面トポグラフィーはイオンエッチングの後に著しく変わった。ほとんどのフィルムが「ピットのような」構造,0.51.0μmにおける側方次元,開口角度約120°を示すが,二乗平均(RMS)粗度が7.29nmから36.64nm増加した。フィルムには良好な表面微細構造があり,太陽電池前面電極としての明るい見通しを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *エッチング ,  前処理 ,  導電性 ,  薄膜 ,  RFスパッタリング ,  トポグラフィー【形態】 ,  イオンエッチング ,  可視スペクトル ,  酸化亜鉛 ,  太陽電池 ,  アルミニウム ,  膜
準シソーラス用語： 表面トポグラフィー ,  フィルム

分類 (1件)： 光学情報処理  (BD03060T)

タイトルに関連する用語 (4件)： エッチング ,  Azo ,  透明導電性薄膜 ,  調査