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J-GLOBAL ID：201302226416975917   整理番号：13A1121720

最近のコンピュータシミュレーション利用の動向 半導体デバイス研究開発のためのシミュレーションの利用 窒化物半導体デバイスの高性能化に向けて

著者 (2件)： 葛原正明 (福井大) ,  児玉和樹 (福井大)
資料名： 電気評論  (Electrical Review)
巻： 98  号： 夏季増刊号  ページ： 34-39  発行年： 2013年06月30日 
JST資料番号： G0720A  ISSN： 0285-5860  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体デバイスの電子輸送シミュレーションにおける基本式であるボルツマン輸送方程式とその解法であるモンテカルロ法を概説し,窒化物半導体トランジスタ解析に適用した。モンテカルロ法はボルツマン輸送方程式による分布関数を統計的に更新してデバイス内電位分布の変化をポアソン方程式により逐次更新するものであり,数値解析によるバンド構造を数値データとして用いるフルバンドモンテカルロ法が主流である。バンド計算を用いて電子輸送解析とデバイス解析が可能となる。AlGaN/GaN HEMTにモンテカルロデバイス解析を適用すると,デバイス内で発生する物理現象を視覚的に表現することができ,物理現象解明に有用である結果を示した。

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *半導体素子 ,  *エレクトロトランスポート ,  *Boltzmann方程式 ,  *モンテカルロ法 ,  分布関数 ,  電位分布 ,  *Poisson方程式 ,  数値解析 ,  バンド構造 ,  アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *計算機シミュレーション
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  *デバイスシミュレーション ,  *窒化物半導体

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： コンピュータシミュレーション ,  動向 ,  半導体デバイス ,  研究 ,  開発 ,  シミュレーション ,  窒化物半導体 ,  高性能化