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J-GLOBAL ID:201302226754312869   整理番号:13A1856728

メモリー効果のないニッケル水素二次電池

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資料名:
巻: 58  号: 12  ページ: 950-954  発行年: 2013年12月01日 
JST資料番号: F0134A  ISSN: 0387-1037  CODEN: CMNGA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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一般に,電池を開回路にしたとき,電極において電極材料と電極支持体の間で局部電池反応が起こる。最近,メモリー効果がβ-NiOOH正極の開回路時における局部電池反応に起因することを明らかにした。さらにメモリー効果を解消する正極の構成を実現した。特許がまだ公開になっていないため全てを述べることはできないが,ここでは電極支持体にニッケルを用いた場合と,表面にカーボンコートを行ったニッケル(カーボンコートニッケル)を用いた場合について紹介した。電池における局部電池反応,実験方法,電池の作成,結果と考察,X線回折測定,レストを含むサイクル充放電試験などについて解説した。
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分類 (1件):
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二次電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
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