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文献
J-GLOBAL ID:201302226903132909   整理番号:13A0099756

超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化

Fabrication of Ultrahigh-Voltage SiC PiN Diodes with Low On-Resistance
著者 (4件):
資料名:
巻: 112  号: 337(SDM2012 115-137)  ページ: 1-5  発行年: 2012年11月30日
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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超高耐圧SiCバイポーラデバイス実現には,接合終端構造の設計が重要になる。本研究では,当グループが提案した空間変調型Junction Termination Extension(JTE)構造をデバイスシミュレーションにより設計し,厚さ186μm,ドーピング密度2~3×1014cm-3であるn型SiCの耐圧維持層を用いて,広い範囲のJTEドーズ量で超高耐圧(>17kV)のSiC PiNダイオードを実現した。また,熱酸化によるキャリア寿命向上プロセスにより,耐圧維持層のキャリア寿命が1.07μsから19.4μsに増大し,電流密度100A/cm2,150°Cにおいて,順方向オン電圧,オン抵抗がそれぞれ5.40V,17.8mΩcm2となり,熱酸化を行わなかったPiNダイオードと比較して大幅に改善することを示した。(著者抄録)
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分類 (1件):
分類
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ダイオード 
タイトルに関連する用語 (5件):
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