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J-GLOBAL ID：201302227447899522   整理番号：12A1798850

不動態化層の下に埋もれたバルクのバンド分散の解明

Digging up bulk band dispersion buried under a passivation layer

著者 (8件)： KOBAYASHI Masaki (Dep. of Applied Chemistry, School of Engineering, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  MUNETA Iriya (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  SCHMITT Thorsten (Swiss Light Source, Paul Scherrer Inst., CH-5232 Villigen PSI, CHE) ,  PATTHEY Luc (Swiss Light Source, Paul Scherrer Inst., CH-5232 Villigen PSI, CHE) ,  OHYA Sinobu (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TANAKA Masaaki (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  OSHIMA Masaharu (Dep. of Applied Chemistry, School of Engineering, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  STROCOV Vladimir N. (Swiss Light Source, Paul Scherrer Inst., CH-5232 Villigen PSI, CHE)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 24  ページ： 242103-242103-4  発行年： 2012年12月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,約100eVまでのエネルギーを持つ真空紫外線の典型的なプロービングの深さを超える厚さを持つ非晶質As膜によって保護されたGaAs薄膜に関する,角度分解光電子放出分光法(ARPES)による結果を報告する。数百eVの軟X線(SX)領域まで光子エネルギーを増加させることによって,プロービングの深さを大きくすると,どのような表面処理を施さなくても下地のGaAsに関するバルクのバンド分散を解明できることが分かった。得られた結果から,SX-ARPESを用いると,非晶質の被覆層を介して埋没している下地の三次元バンド分散へのアクセスが可能になることが分かった。この結果は,保護薄膜を含むヘテロ構造に関する信頼できる運動量分解電子構造の診断において,新たな解析法を提供する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *不動態皮膜 ,  *分散【dispersion】 ,  *光電子スペクトル ,  角度依存性 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  ヒ素 ,  軟X線 ,  *非晶質
準シソーラス用語： *バンド分散

分類 (1件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 不動態化 ,  バルク ,  バンド分散