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J-GLOBAL ID：201302227454842021   整理番号：13A1041715

AlN基板上のAlGaNチャネルHEMTのエピタキシャル層

Epitaxial Layers of AlGaN Channel HEMTs on AlN Substrates

著者 (6件)： HASHIMOTO Shin (SUMITOMO ELECTRIC IND., LTD.) ,  AKITA Katsushi (SUMITOMO ELECTRIC IND., LTD.) ,  TANABE Tatsuya (SUMITOMO ELECTRIC IND., LTD.) ,  NAKAHATA Hideaki (SUMITOMO ELECTRIC IND., LTD.) ,  TAKEDA Kenichiro (Meijo Univ.) ,  AMANO Hiroshi (Nagoya Univ.)
資料名： SEI Technical Review  (SEI Technical Review)
号： 71  ページ： 83-87  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： S0886A  ISSN： 1343-4349  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)チャネル高電子移動度トランジスタ(HEMT)のエピタキシャル構造をサファイアおよび窒化アルミニウム(AlN)基板上に成長させた。AlGaNチャネル層の(1012)ピークに対するX線ロッキングカーブの半値全幅の減少は,貫通転位密度の減少により二次元電子ガス(2DEG)のシート抵抗の激減をもたらした。AlGaNチャネルHEMTに対しては,2DEGのシート抵抗を低減するためにAlGaNチャネル層の結晶品質の改善が必須であることが分かった。AlN基板を用いることによりAlGaN層の結晶品質が改善され,2DEG抵抗が低下した。これらの結果は,AlGaNチャネルHEMTに対するAlN基板の高い可能性を示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *HEMT ,  層 ,  貫通転位 ,  二次元電子ガス ,  転位密度 ,  エピタキシャル層 ,  サファイア基板 ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： AlGaN ,  *AlN ,  高電子移動度トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlN ,  AlGaN ,  チャネル ,  HEMT ,  エピタキシャル層