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J-GLOBAL ID:201302227692342452   整理番号:13A1038679

電荷移動錯体α-[BEDT-TTF]4[ReBr4(mal)](mal=malonate dianion)の結晶構造と伝導性

著者 (5件):
資料名:
巻: 93rd  号:ページ: 670  発行年: 2013年03月08日 
JST資料番号: S0493A  ISSN: 0285-7626  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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π-d相互作用の実現を目的として,有機ドナー分子のBEDT-TTFと5d遷移元素Re錯体より,有機伝導体を合成した。構造解析から,ドナー:アニオン=4:1で,α型の二次元伝導層形成が明らかとなった。また伝導度は室温付近で半導体的挙動を示したが,120K以下で温度低下に伴い抵抗値が減少する異常な振る舞いを示した。今後この異常挙動の精査と共に,磁化率測定からπ-d相互作用についても検討する。(著者抄録)
シソーラス用語:
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分類 (3件):
分類
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分子化合物  ,  ジオキソール,オキサチオール,ジチオール  ,  第6族,第7族元素の錯体 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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