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J-GLOBAL ID：201302228106917855   整理番号：13A1138752

LOD FDTD法を用いたグラフェン素子の効率的モデリングとシミュレーション

Efficient Modeling and Simulation of Graphene Devices With the LOD-FDTD Method

著者 (3件)： AHMED Iftikhar (Inst. High Performance Computing, Singapore) ,  KHOO Eng Huat (Inst. High Performance Computing, Singapore) ,  LI Erping (Inst. High Performance Computing, Singapore)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 23  号： 6  ページ： 306-308  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン素子の効率的モデリングとシミュレーションのため,グラフェン電子モデルのバンド間項をMaxwell方程式を組入れ,3次元の局所1次元(LOD)-FDTD法を用いた。この方法は従来方法と比べ,より長い時間ステップが使える柔軟性がある。提案方法の結果を表面等価モデルによるFDTD法とMoM法の結果で検証し,応用研究も示した。

シソーラス用語： *炭素材 ,  固体素子 ,  *モデリング ,  *シミュレーション ,  *有限差分時間領域法 ,  ステップ ,  一次元 ,  三次元 ,  数値解析 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 時間ステップ

分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： LOD ,  FDTD法 ,  グラフェン素子 ,  モデリング ,  シミュレーション