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J-GLOBAL ID：201302228136900906   整理番号：13A0929707

TiをドープしたSnO_2半導体固溶体の第一原理研究

First-principles Study of Ti-doped SnO_2 Semiconductor Solid Solutions

著者 (6件)： Jia Jinqian (Coll. of Chemistry and Chemical Engineering,Taiyuan Univ. of Technol., Taiyuan) ,  Xie Xuejia (Coll. of Chemistry and Chemical Engineering,Taiyuan Univ. of Technol., Taiyuan) ,  Liang Zhenhai (Coll. of Chemistry and Chemical Engineering,Taiyuan Univ. of Technol., Taiyuan) ,  Zhang Xiaochao (Coll. of Chemistry and Chemical Engineering,Taiyuan Univ. of Technol., Taiyuan) ,  Fan Caimei (Coll. of Chemistry and Chemical Engineering,Taiyuan Univ. of Technol., Taiyuan) ,  Han Peide (Coll. of Material Sci. and Engineering, Taiyuan Univ. of Technol., Taiyuan)
資料名： Gaodeng Xuexiao Huaxue Xuebao  (Gaodeng Xuexiao Huaxue Xuebao)
巻： 33  号： 5  ページ： 1050-1056  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2116A  ISSN： 0251-0790  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： TiをドープしたSnO_2固溶体は,チタンベースの酸化物耐酸アノードの重要な部分である。Sn_(1-x)Ti_xO_2固溶体(x=0,1/12,1/8,1/6,1/4,1/,3/4,5/6)の電子構造を,密度汎関数理論に基づく第一原理計算を用いて解析した。エネルギーバンド構造,状態の密度及びMulliken電荷ポピュレーションを解析した。その結果,ドーピングによって対応する格子パラメータは低下し,バンドギャップは依然として直接バンドギャップであり,ドーピング率が増加すると,バンドギャップは次第に減少することが判明した。-6.11eVの最小生成エネルギー値に起因して,Sn_(0.5)Ti_(0.5)O_2固溶体は最高の安定性を有していた。そっれらの結果は,チタンベースの酸化物電極材料を研究し開発するための理論的基礎を提供した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： チタン ,  ドーピング ,  *酸化スズ ,  *半導体 ,  *固溶体 ,  第一原理 ,  アノード ,  電子構造 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： Ti ,  ドープ ,  密度汎関数理論

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ti ,  ドープ ,  固溶体 ,  第一原理 ,  研究