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J-GLOBAL ID：201302228228560923   整理番号：13A1386258

不揮発型ナノ強誘電性デバイスの圧電効果に基づく強誘電性トンネル接合

A ferroelectric tunnel junction based on the piezoelectric effect for non-volatile nanoferroelectric devices

著者 (6件)： YUAN Shuoguo (Xiangtan Univ., Hunan, CHN) ,  WANG Jinbin (Xiangtan Univ., Hunan, CHN) ,  ZHONG Xiangli (Xiangtan Univ., Hunan, CHN) ,  WANG Fang (Xiangtan Univ., Hunan, CHN) ,  LI Bo (Xiangtan Univ., Hunan, CHN) ,  ZHOU Yichun (Xiangtan Univ., Hunan, CHN)
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 1  号： 3  ページ： 418-421  発行年： 2013年01月21日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 白金上に堆積したBi_3.15Nd_0.85Ti₃O₁₂(BNT)薄膜が,膜厚4nmに至るまで強誘電性であることを示した。残留圧電定数d₃₃は~81.4pm/Vであり,超薄BNT膜の圧電センサとしての可能性を示している。圧電ひずみの効果により,4nmの超薄膜の電界誘起抵抗変化(TER)は699に達する。圧電効果に基づく強誘電性トンネル接合は静電効果に基づく場合の保持時間及び分極スイッチングの欠点を克服しており,次世代のトンネル接合デバイスへの可能性を示している。

シソーラス用語： 力顕微鏡 ,  *チタン酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  *ネオジム化合物 ,  *超薄膜 ,  強誘電性 ,  定数 ,  *トンネル接合 ,  スイッチング ,  不揮発性メモリ
準シソーラス用語： *チタン酸ビスマスネオジム ,  圧電応答力顕微鏡 ,  圧電定数 ,  電気力顕微鏡

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 強誘電性 ,  圧電効果 ,  トンネル接合