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J-GLOBAL ID：201302228543671822   整理番号：13A0136280

ゲート変調Raman散乱および電子-フォノン相互作用による単層グラフェンの測定 : フォノン組み合わせモードを判定する新規な方法

Using gate-modulated Raman scattering and electron-phonon interactions to probe single-layer graphene: A different approach to assign phonon combination modes

著者 (7件)： MAFRA D. L. (Universidade Federal de Minas Gerais, Belo Horizonte, BRA) ,  MAFRA D. L. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  KONG J. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  SATO K. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAITO R. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  DRESSELHAUS M. S. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  ARAUJO P. T. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 86  号： 19  ページ： 195434.1-195434.9  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300nmのSiO₂被覆Si基盤上の剥離グラフェン試料にCr/Au(5nm/80nm)ゲートをリフトオフで形成した。電圧範囲-70から70Vで,ダイレーザ,YAGレーザおよびアルゴンレーザの後方散乱によってRaman測定を行った。単層グラフェンのRamanモードの組み合わせを解析した。フォノン周波数およびフォノン減衰幅のゲート電圧依存性を測定してフォノン自己エネルギーを解析した。二重共鳴Raman理論と異常フォノンくりこみ効果を組み合わせることにより,組み合わせフォノンモードとRaman分光を対応させることができることを示した。

シソーラス用語： グラファイト ,  Raman分光分析 ,  共鳴Raman散乱 ,  *二重共鳴 ,  電圧 ,  自己エネルギー ,  くりこみ ,  スペクトル解析 ,  電圧依存性 ,  *電子-フォノン相互作用
準シソーラス用語： *単層グラフェン ,  Ramanスペクトル分析 ,  Raman共鳴散乱 ,  *ゲート電圧 ,  *フォノンモード

分類 (2件)： 光学スペクトル及び光散乱一般  (BM08050S) ,  有機化合物の結晶構造一般  (BK08001A)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート ,  変調 ,  Raman散乱 ,  電子-フォノン相互作用 ,  単層グラフェン ,  フォノン ,  組み合わせ