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J-GLOBAL ID:201302228589334332   整理番号:13A0948411

ZnMnO:Nの物理的特質に関する真空アニール影響の研究

Study of influence of the vacuum annealing on physical properties of ZnMnO:N
著者 (5件):
資料名:
巻: 42  号:ページ: 498-504  発行年: 2012年 
JST資料番号: C2586A  ISSN: 1674-7275  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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サファイア基板の上に,ZnOをともにドープしたMn-N薄膜を,金属・有機化学気相成長(MOCVD)方式によって作り,その標本を真空温度のそれぞれ700°C,900°Cおよび1100°Cで,アニールした。真空アニール処理によって標本が劣化することを,X線回折(XRD)は表示したが,強いc軸配向を示した。ラマンおよびPLを用いて,結晶品質を分析し,真空アニール処理によって酸素空孔(V O)が増加することを示す。MnとNにZnOをともにドープした結晶の,シミュレーション計算の最初の原則を達成し,状態の総密度によって,強いp-d干渉およびMn,NとそれぞれにドープしたZnOには磁気モーメントが存在することが明らかになる。一度,酸素空格子(V O)生じると,フェルミ準位は上げられるであろうし,それはp-d干渉が消失し,磁気モーメントが縮減し消失にも至る結果となるであろう。したがって,Mnの3d軌道の電子と,Nの2pの局部範囲の電子の,磁界ポーラロン(BMP)構成が,磁気相互作用効果を決定する。そしてそれは,Mnの3dとNの2pの強磁性(正孔)結合に関する理論的予測から説明することができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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物理学一般 
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