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J-GLOBAL ID：201302229022427468   整理番号：13A1777004

ジャンプ-接触機構に基づく電気化学的走査トンネル顕微鏡破断-接合によるゲルマニウムの量子電導測定

Measurement of the Quantum Conductance of Germanium by an Electrochemical Scanning Tunneling Microscope Break Junction Based on a Jump-To-Contact Mechanism

著者 (6件)： XIE Xufen (Xiamen Univ., Fujian, CHN) ,  YAN Jiawei (Xiamen Univ., Fujian, CHN) ,  LIANG Jinghong (Xiamen Univ., Fujian, CHN) ,  LI Jijun (Xiamen Univ., Fujian, CHN) ,  ZHANG Meng (Xiamen Univ., Fujian, CHN) ,  MAO Bingwei (Xiamen Univ., Fujian, CHN)
資料名： Chemistry. Asian Journal  (Chemistry. Asian Journal)
巻： 8  号： 10  ページ： 2401-2406  発行年： 2013年 
JST資料番号： W1856A  ISSN： 1861-4728  CODEN： CAAJBI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジャンプ-接触機構に基づく電気化学走査トンネル顕微鏡(STM)破壊接合(STM-BJ)によりゲルマニウムの量子コンダクタンスを測定した。0.1M-GeCl₄を含むBMIPF₆イオン液体中でPt(111)のCVを測定し,-350mVのGeアンダーポテンシャル析出で走査STM像を調べた。(1)Pt/IrチップにGeを電着し,(2)外部電場をかけてチップを基質(Pt(111)またはAu(111))に接近させ,Geをチップから基質に移動させてチップと基質間に連結部を作り(ジャンプ-接触プロセス),(3)電圧低下させチップを引き上げて収縮部を延伸し原子サイズナノワイヤ形成後引張破断させ,(4)収縮部の破断後,Geナノクラスタが基質上にとどまるようにし,(5)場所を変えてこのプロセスを繰り返し,ヘテロジニアスコンタクトとホモジニアス破断を実現した。ゲルマニウムナノワイヤのコンダクタンスは0.025~0.05G₀刻みで,コンダクタンスヒストグラムは低コンダクタンス領域では0.02~0.15G₀にわたり,基質材料によらなかった(G₀=2e²/h;e=電子電荷,h=Planck定数)。高コンダクタンス領域ではコンダクタンスヒストグラムにおける明瞭なピークは認められなかった。

シソーラス用語： 電気化学 ,  *ゲルマニウム ,  イオン液体 ,  *ナノワイヤ ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  *コンダクタンス ,  *電子移動 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  チップ ,  基板 ,  量子化 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  *点接触
準シソーラス用語： *量子化コンダクタンス ,  *量子伝導

分類 (3件)： 電極過程  (CB07040U) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  電子顕微鏡,イオン顕微鏡  (BD02050B)

タイトルに関連する用語 (7件)： ジャンプ ,  電気化学 ,  走査トンネル顕微鏡 ,  破断 ,  ゲルマニウム ,  量子 ,  電導測定