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J-GLOBAL ID：201302229131973251   整理番号：13A0794464

1.2MHzで動作し半径5mmに曲げられる,支柱なしポリイミド箔上に作られたフレキシブルa-IGZO TFT増幅器

Flexible a-IGZO TFT amplifier fabricated on a free standing polyimide foil operating at 1.2MHz while bent to a radius of 5mm

著者 (9件)： MUENZENRIEDER N. (Swiss Federal Inst. Technol., Zurich, CHE) ,  PETTI L. (Swiss Federal Inst. Technol., Zurich, CHE) ,  ZYSSET C. (Swiss Federal Inst. Technol., Zurich, CHE) ,  SALVATORE G. A. (Swiss Federal Inst. Technol., Zurich, CHE) ,  KINKELDEI T. (Swiss Federal Inst. Technol., Zurich, CHE) ,  PERUMAL C. (Dresden Univ. Technol., Dresden, DEU) ,  CARTA C. (Dresden Univ. Technol., Dresden, DEU) ,  ELLINGER F. (Dresden Univ. Technol., Dresden, DEU) ,  TROESTER G. (Swiss Federal Inst. Technol., Zurich, CHE)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2012  ページ： 96-99  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物半導体特にアモルファス・インジウム・ガリウム・酸化亜鉛(a-IGZO)に基づく薄膜トランジスター(TFT)は,高い電子移動度を持ち低温で堆積できるので,プラスチック基板上に電子回路を作るのに有望なデバイスである。ここでは,最小チャンネル長さ2.5μmのa-IGZO TFTを使って,支柱なしプラスチックはく上に,可とう性の共通ソース・カスコード増幅器を作製した。電源電圧V_DDは5Vである。この増幅器は,半径5mmに曲げたあとも,また1000回の曲げと伸ばしを繰り返したあとも完全に動作し,遮断周波数1.2MHzと利得7dBを示した。

シソーラス用語： *フレキシブル基板 ,  *非晶質半導体 ,  *化合物半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  縦続接続 ,  *高周波増幅器 ,  シミュレーション ,  S行列 ,  ポリイミド ,  高分子膜 ,  酸化亜鉛 ,  リング発振器 ,  アナログ回路 ,  遮断周波数 ,  RFID ,  標識
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  RFIDタグ

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 半径 ,  支柱 ,  ポリイミド ,  箔 ,  TFT ,  増幅器