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J-GLOBAL ID：201302229371516591   整理番号：13A1473471

320×256の短波読出集積回路の放射硬化設計

Radiation-Hardened Design for Short Wave 320X256 Read-Out Integrated Circuit

著者 (6件)： Liang Yan (Kunming Inst. of Physics, Kunming) ,  Li Yu (Kunming Inst. of Physics, Kunming) ,  Wang Bo (Kunming Inst. of Physics, Kunming) ,  Bai Piji (Kunming Inst. of Physics, Kunming) ,  Li Min (Kunming Inst. of Physics, Kunming) ,  Chen Xiao (Kunming Inst. of Physics, Kunming)
資料名： Hongwai Jishu  (Hongwai Jishu)
巻： 34  号： 12  ページ： 705-708,716  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2520A  ISSN： 1001-8891  CODEN： HOJIEC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： CMOSプロセスを利用した320×256の放射硬化短波読出集積回路を示し,CMOSプロセス特性を解析した。アナログ回路,電圧バイアス発生回路,ディジタル回路の信頼性の設計法を示した。ガードバンディング,エンドレスNMOSトランジスタ,冗長度の設計での測度を示した。この回路を構築し,これを試験した。この結果から放射硬化設計の実現可能性を検証した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  CMOS構造 ,  ディジタル回路 ,  アナログ回路 ,  トランジスタ ,  *集積回路 ,  バイアス ,  *電気回路 ,  データ読取 ,  *光架橋 ,  短波 ,  信頼性
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  光硬化 ,  *読出回路

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  高分子固体のその他の性質  (CG02025L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 短波 ,  読出 ,  集積回路 ,  放射 ,  硬化 ,  設計