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J-GLOBAL ID：201302229848382711   整理番号：13A1193545

ディジタルCMOSのシングルイベント過渡現象-レビュー

Single Event Transients in Digital CMOS-A Review

著者 (3件)： FERLET-CAVROIS Veronique (European Space Agecy, Noordwijk, NLD) ,  MASSENGILL Lloyd W. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  GOUKER Pascale (Massachusetts Ist. Technol., MA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 60  号： 3,Pt.2  ページ： 1767-1790  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シングルイベント過渡現象(SET)が最初に観測されたのは80年代で,宇宙空間用途のマイクロプロセッサと集積回路の開発と品質認証においてであった。SETは近代的CMOS論理の信頼性に大きく影響をする。本論文では,ディジタルSETの研究についてレビューした。SETの発現の歴史を概説し,最先端のSET試験及びモデリングを紹介し,SETの軽減技術と将来のSET有意性に関する技術的スケーリングの傾向の影響を論じた。

シソーラス用語： *過渡現象 ,  荷電粒子 ,  論理素子 ,  *半導体集積回路 ,  MOSFET ,  モデリング ,  断面積 ,  パルス幅 ,  ディジタル集積回路 ,  素子構造 ,  ソフトエラー ,  SEU【シングルイベント】
準シソーラス用語： CMOS回路 ,  *SET【シングルイベント】 ,  *シングルイベント過渡現象

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： ディジタル ,  CMOS ,  シングルイベント過渡現象 ,  レビュー