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J-GLOBAL ID:201302230097362726   整理番号:13A0698370

1500V架線対応SiCハイブリッドインバータ

著者 (5件):
資料名:
巻: 18  号:ページ: 20-24  発行年: 2013年04月01日 
JST資料番号: L5761A  ISSN: 1883-6690  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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SiC(炭化ケイ素)は高い絶縁耐量を持つため,素子の厚みを1/20にでき,損失を大幅に低減可能である。これをインバータ回路の還流ダイオードに適用すると,リカバリ損失を大幅に低減でき,組み合わせて使うIBGT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の損失低減にも寄与する。日立製作所では,SiCのダイオードとシリコンのIBGTを組み合わせた3kV級耐圧のパワーモジュールで,直流1500V架線に2レベル主回路機構で対応した「SiCハイブリッドモジュール」を開発した。このモジュールに対応したSiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)による損失低減で,インバータの損失を最大35%低減するとともに,インバータ装置を40%小型軽量化することができた。
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分類 (2件):
分類
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電力変換器  ,  鉄道車両用機器 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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