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J-GLOBAL ID：201302230388546409   整理番号：13A1660398

パワースイッチングデバイスのためのGaNオンSi技術

GaN on Si Technologies for Power Switching Devices

著者 (4件)： ISHIDA Masahiro (Panasonic Corp. Nagaokakyo, JPN) ,  UEDA Tetsuzo (Panasonic Corp. Nagaokakyo, JPN) ,  TANAKA Tsuyoshi (Panasonic Corp. Nagaokakyo, JPN) ,  UEDA Daisuke (Panasonic Corp., Seika-cho, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 10  ページ： 3053-3059  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上のノ-マリオフGaNゲート注入トランジスタ(GIT)とそのインバータへの応用に間する最近の活動をレビューする。反りの無い200mmSi基板での結晶性の良いAlGaN/GaNヘテロ接合のエピタキシャル成長はブレークダウン電圧の高いGaNデバイスの低コスト製造を可能にする。p型AlGaNゲートからのホール注入による伝導度変調によってオン抵抗を低くしドレイン電流を増加させるノ-マリオフ動作の新しい動作原理を提案した。GaNデバイスの低いオン抵抗はパワースイッチングシステムの効率向上に大きく寄与する。GaNベースの3相インバータは1500Wの高出力でモーターを99.3%の高効率で駆動する。同期ゲート制御でオン抵抗が低いGITの双方向動作は効率改善に大きく役立つ。

シソーラス用語： *スイッチング素子 ,  窒化ガリウム ,  インバータ ,  *電力トランジスタ ,  半導体プロセス ,  オン抵抗 ,  キャリア注入 ,  半導体素子
準シソーラス用語： GaN ,  パワートランジスタ ,  *電荷注入素子

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： パワー ,  スイッチングデバイス ,  GaN ,  Si