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J-GLOBAL ID：201302230502908111   整理番号：12A1798691

酸素プラズマ支援MBEでAl₂O₃(001)上に成長させたCuCrO₂薄膜の電子構造

Electronic structure of CuCrO₂ thin films grown on Al₂O₃(001) by oxygen plasma assisted molecular beam epitaxy

著者 (4件)： SHIN D. (Dep. of Chemistry, Univ. of Oxford, Chemistry Res. Lab., Mansfield Road, Oxford OX1 3TA, GBR) ,  FOORD J. S. (Dep. of Chemistry, Univ. of Oxford, Chemistry Res. Lab., Mansfield Road, Oxford OX1 3TA, GBR) ,  EGDELL R. G. (Dep. of Chemistry, Univ. of Oxford, Chemistry Res. Lab., Mansfield Road, Oxford OX1 3TA, GBR) ,  WALSH A. (Centre for Sustainable Chemical Technologies and Dep. of Chemistry, Univ. of Bath, Claverton Down, Bath BA2 7AY, GBR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 11  ページ： 113718-113718-7  発行年： 2012年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素プラズマ支援MBEでAl₂O₃(001)基板上にCuCrO₂薄膜を成長させた。700および750°Cの基板温度で膜は期待していなかった配向(015)を示したが,800°Cにすると予想通りの底面(001)配向が卓越した。CuCrO₂の光吸収スペクトルは,3.18eVの直接許容遷移の他に2.0eVでの弱いピークを伴ったが,これはSnドーピングで抑制を受けた。これは,この低エネルギーのピークがCr³⁺に局在した励起であるよりは,Cu²⁺欠陥状態に伴う3d→3d励起に原因があることを示唆する。配向CuCrO₂の(001)と(015)の価電子バンドX線光電子スペクトルを,多結晶試料で得たものと比較した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： プラズマ ,  MBE成長 ,  *クロム酸塩 ,  *銅化合物 ,  *薄膜 ,  アルミナ ,  底面 ,  配向 ,  *許容遷移 ,  状態 ,  X線光電子スペクトル ,  *電子構造 ,  光吸収スペクトル ,  ドーピング ,  スズ
準シソーラス用語： プラズマ支援MBE成長 ,  *欠陥状態【格子】 ,  酸素プラズマ

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸素プラズマ ,  支援 ,  MBE ,  Al2O3 ,  成長 ,  薄膜 ,  電子構造