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J-GLOBAL ID：201302230718545420   整理番号：13A1086505

高性能p型マグネシウム-シリコン熱電素子

High-Performance p-Type Magnesium Silicon Thermoelectrics

著者 (7件)： KAJITANI T. (Tokoku Univ., Dep. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, 6-6-05 Aoba, Aoba-ku, 980-8579, Sendai, JPN) ,  KUBOUCHI M. (Tokoku Univ., Dep. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, 6-6-05 Aoba, Aoba-ku, 980-8579, Sendai, JPN) ,  KIKUCHI S. (Tokoku Univ., Dep. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, 6-6-05 Aoba, Aoba-ku, 980-8579, Sendai, JPN) ,  HAYASHI K. (Tokoku Univ., Dep. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, 6-6-05 Aoba, Aoba-ku, 980-8579, Sendai, JPN) ,  UENO T. (Tokoku Univ., Dep. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, 6-6-05 Aoba, Aoba-ku, 980-8579, Sendai, JPN) ,  MIYAZAKI Y. (Tokoku Univ., Dep. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, 6-6-05 Aoba, Aoba-ku, 980-8579, Sendai, JPN) ,  YUBUTA K. (Tohoku Univ., Inst. for Materials Res., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, 980-8577, Sendai, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 42  号： 7  ページ： 1855-1863  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 期待されるp型マグネシウム-シリコン化合物を,Mg₂Si,Mg₂SrあるいはMg₂Baの,混合および焼結粉末から製造した。合成は,50MPaにおいて10分間に及ぶ1123Kの放電プラズマ焼結(SPS)法によって行なった。公称組成(Mg₂Si)_0・7(Mg₂Sr)_0.3および(Mg₂Si)_0.7(Mg₂Ba)_0.3の焼結粉末から調製した試料について,p型熱電性能を観察した。前の試料の最大無次元性能指数,ZTは700Kにおいて0.24に到達した。結晶構造と化学物質含有量を,粉末および単結晶のX線回折(XRD)測定,走査電子顕微鏡(SEM),およびエネルギー分散型X線分光法(EDS)を用いた透過型電子顕微鏡(TEM)によって,注意深く解明した。SPS試料は,二つの新しい未知の相から構成されていた。単結晶のXRDデータに基づいて,二つの異なるA(SrまたはBa)-Mg-Si結晶の結晶構造を首尾よく決定した。二つの構造は,六方晶のp63/m型A₂Mg₁₂Si₇およびP62m(no.189)型A₂Mg₄Si₃である。二つの構造は,三次元的に相互連結されたMgSi₄四面体ネットワーク,および4.3-Å軸に対して並列に整列したアルカリ土類イオン柱から構成されている。両相とも,全く同じ[(A²⁺,Mg²⁺)]₂[Si^4-]-型の化学式であり,それらは,一種のZintl相として同定する。Copyright 2013 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アルカリ土類金属 ,  *P型半導体 ,  結晶構造解析 ,  精密化 ,  金属間化合物 ,  *結晶構造 ,  相 ,  金属元素 ,  半導体 ,  単結晶構造解析
準シソーラス用語： p型マグネシウム-シリコン半導体 ,  Zintl相 ,  構造精密化

分類 (3件)： 非遷移金属元素の錯体の結晶構造  (BK09020M) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  非遷移金属元素の錯体  (CE01030C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高性能 ,  マグネシウム ,  シリコン ,  熱電素子