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J-GLOBAL ID:201302231009032998   整理番号:13A1893023

溶液法プロセスを利用できる有機ゲート誘電体を用いたマルチチャネルZnOナノワイヤ電界効果トランジスタ

Solution processable multi-channel ZnO nanowire field-effect transistors with organic gate dielectric
著者 (6件):
資料名:
巻: 24  号: 40  ページ: 405203,1-7  発行年: 2013年10月11日 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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大面積低コストなFET製造が本報告の目標である。ナノワイヤ(NW)の成長と配向に誘電電気泳動法(DEP)を利用して,多重ZnOナノワイヤを正確な長さに選定し,誘導配向させて位置決めし,所定の基板面上に配置させることが挑戦課題となった。有機ゲート誘電層と全周囲シース構造ドレイン接触を設けて,高性能なトップゲート構成のZnO-NW-FETをガラス基板上に形成した。このデバイスはハイブリッド型であり,無機マルチプル単結晶ZnO-NWと有機ゲート誘電体が単一システム内を共有する構造を採用している。代表的なI-V特性,オン/オフ比動作特性,高い電子移動度などの特徴を明らかにした。低温プロセスで製造できることが大きな特長である。
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分類 (1件):
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トランジスタ 

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