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J-GLOBAL ID：201302231015954775   整理番号：13A1304878

グラフェンに関する厚さ依存電気輸送特性

Thickness-Dependent Electrical Transport Properties of Graphene

著者 (4件)： THIYAGARAJAN Kaliannan (Jeju National Univ., Jeju, KOR) ,  SARAVANAKUMAR Balasubramaniam (Jeju National Univ., Jeju, KOR) ,  MOHAN Rajneesh (Jeju National Univ., Jeju, KOR) ,  KIM Sang-Jae (Jeju National Univ., Jeju, KOR)
資料名： Science of Advanced Materials  (Science of Advanced Materials)
巻： 5  号： 6  ページ： 542-548  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： W2374A  ISSN： 1947-2935  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの特性に関する基礎研究の一環として,本研究では,高配向性熱分解グラファイト(HOPG)から調製した試料について,電気抵抗率の厚さ依存性を,0.65~50nmの厚さ範囲で調べた。試料のキャラクタリゼーションには,原子間力顕微鏡法,Raman分光法,電気伝導率測定を用いた。その結果に基づいて,1)これら試料は,その厚さに依存して,金属-半導体転移を示すこと,2)グラフェンの層間電子トンネリングに起因して,少数層グラフェンで,c軸特性を観測したこと,3)グラフェン素子の温度依存電流電圧特性は,実験した全温度範囲で線形挙動を示すこと,などを記した。

シソーラス用語： 炭素材 ,  単原子層 ,  *高配向性熱分解グラファイト ,  *超薄膜 ,  膜厚 ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  *電流電圧特性 ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  *金属-半導体転移 ,  トンネル効果 ,  キャラクタリゼーション ,  グラフェン

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  厚さ ,  電気輸送