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J-GLOBAL ID:201302231061831343   整理番号:12A1621878

SiO_2/SiNx:H選択的エッチング改良光誘起無電解メッキ/電解メッキ多結晶太陽電池過度なメッキ現象

SiO_2/SiNx: H Selective Etching Improving Light-induced Electroless Plating/Electro-plating Multicrystalline Solar Cells Over-plating Phenomenon
著者 (14件):
資料名:
巻: 69  号:ページ: 848-852  発行年: 2011年 
JST資料番号: H0391B  ISSN: 0567-7351  CODEN: HHHPA4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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選択的エミッタ太陽電池の調製には,精密な格子線及び迅速で効率的プロセスの利点を有する自己整合光誘起無電解メッキ/電解メッキ技術が理想的選択である。ところが,これらの技術による処理以前では,激しいドーピング地帯がHF溶液によってエッチングされ,表面のSiO2を効果的に除去した。そして,iNx:Hマスク中のシリコン基板を曝け出すためのピンホールが現われなかった。過度なメッキ現象をもたらす光誘起無電解メッキ/電解メッキの間に,金属ニッケル及び銀がピンホール中に沈積したものだ。これは,予備処理溶液がSiO2/SiNx:Hに対して非常に選択的エッチングを持つべきことを求めたのである。本稿は実験結果の観点から,過度なメッキ現象の起こる原因を分析し,SiO2/SiNx:Hに対して選択的エッチングの実現可能性を検討した。SiO2及びSiNx:HをHFでエッチングする機構に従って,多結晶シリコン太陽電池の過度なメッキ現象を,HF緩衝溶液のpH値を調節することにより改善した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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太陽電池 

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