2重接合模型から予測される高分子バルクヘテロ接合太陽電池のV<sub>oc</sub>の限界

WANG Mingdong; ZHENG Shizhao; WAN Xi; SU Yaorong; KE Ning; ZHAO Ni; WONG King Young; XU Jianbin

文献

J-GLOBAL ID：201302231655151539 整理番号：13A0152033

2重接合模型から予測される高分子バルクヘテロ接合太陽電池のV_ocの限界

Limit of V _oc in polymeric bulk heterojunction solar cells predicted by a double-junction model

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資料名：

Solar Energy Materials and Solar Cells (Solar Energy Materials and Solar Cells)

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巻： 108 ページ： 17-21 発行年： 2013年01月
JST資料番号： D0513C ISSN： 0927-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

抄録/ポイント：

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この論文では,2重接合模を利用した高分子バルクヘテロ接合(BHJ)太陽電池における開放電圧(V_oc)の限界について述べた。よく議論されるドナー/アクセプタ接合に加えて,陰極とドナー物質の間に形成されたSchottky接合の役割も調べた。このようなSchottky接合は,不本意な垂直相分離の結果として,多くのBHJ太陽電池に存在する。インピーダンス分光法と過渡光電圧測定を利用して,2重接合模型を分析した。様様なBHJシステムの研究および,陰極とBHJ層の中間層の有無をともなう素子の特性の比較から,V_ocが小さい負容量オンセットを持つ接合で決まること,また陰極の修飾により,V_ocの最大値をSchottky接合限界域からドナー/アクセプタ接合限界域まで調節できることが分かった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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