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J-GLOBAL ID：201302231812652385   整理番号：13A1177078

MOVPEによるAl_xGa_1-xN(0<x<0.2)成長に及ぼすGaNテンプレートの厚さとモルフォロジーの効果

Effect of GaN template thickness and morphology on Al_xGa_1-xN (0< x <0.2) growth by MOVPE

著者 (5件)： HALIDOU I. (Univ. de Monastir, Fac. des Sciences, Unite de Rech. sur les Hetero-Epitaxies et Applications (URHEA) 5000 Monastir ...) ,  TOURE A. (Univ. de Monastir, Fac. des Sciences, Unite de Rech. sur les Hetero-Epitaxies et Applications (URHEA) 5000 Monastir ...) ,  FOUZRI A. (Univ. de Monastir, Fac. des Sciences, Lab. de Physico-Chimie des Materiaux, Unite de service commun de recherche ...) ,  RAMONDA M. (Lab. de Microscopie a Champ Proche, Univ. de Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex 5, FRA) ,  EL JANI B. (Univ. de Monastir, Fac. des Sciences, Unite de Rech. sur les Hetero-Epitaxies et Applications (URHEA) 5000 Monastir ...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 280  ページ： 660-665  発行年： 2013年09月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自作の垂直型反応器においてAl_xGa_1-xN/GaN(0<x<0.2)薄膜を大気圧MOVPEによって成長させた。薄膜はその場ナノマスク化(0001)サファイア基板上にSi/N処理を用いることによって成長させた高温GaNテンプレート上に堆積された。このプロセスは複雑なex situステップ無しにELO技術の利点を提示し,3Dモード(初期段階)から2D成長モードへの遷移を誘発する。AlGaN薄膜の微細構造とモルフォロジー特性に及ぼすテンプレートの厚さとモルフォロジーの効果を体系的に研究した。異なるGaNテンプレート上に成長された4種の0.5μm厚Al_0.07Ga_0.93N試料を研究した。HRXDとAFMの結果はAlGaN層が1.3μm厚2D GaNテンプレート上に成長された時により良い薄膜品質を示した。層中の応力を制御することは可能である。結晶品質はAl固体含有量の増加と共に劣化することもわかった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOCVD ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *鋳型効果 ,  形態 ,  *表面構造 ,  微細構造 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  薄膜成長 ,  サファイア ,  *エピタクシー ,  マスク
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  *表面モルフォロジー ,  *窒化ガリウムアルミニウム ,  横方向成長

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOVPE ,  成長 ,  GaN ,  テンプレート ,  モルフォロジー