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J-GLOBAL ID：201302232676825900   整理番号：13A1161964

低温接合技術と光デバイス応用最新動向 原子拡散接合法によるウエハ室温接合技術とエタロンフィルタへの応用

著者 (6件)： 島津武仁 (東北大) ,  魚本幸 (東北大) ,  今一恵 (東北大) ,  若林小太郎 (京セラクリスタルデバイス) ,  大場健司 (京セラクリスタルデバイス) ,  古堅由紀子 (京セラ)
資料名： Optronics  (Optronics)
号： 379  ページ： 88-92  発行年： 2013年07月10日 
JST資料番号： Y0019A  ISSN： 0286-9659  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 原子層拡散接合法は,接合させるウェハの双方にスパッタ法等で金属薄膜を形成後,同一真空中もしくは大気中に取出した後に薄膜を相互に接触させ,ウェハを接合させる方法である。この金属薄膜をAuもしくはAuを主成分とする合金とした場合には,大気中でも接合させることができる。ここでは,この低温接合類似の原子層拡散接合法の基本プロセスと接合性能を示し,この手法を用いて作製した光通信用のエタロンフィルタを紹介した。

シソーラス用語： 室温 ,  *拡散接合 ,  拡散 ,  金属薄膜 ,  大気中 ,  ウエハ【IC】 ,  *エタロン ,  光学フィルタ ,  光学素子
準シソーラス用語： 金薄膜 ,  原子拡散 ,  光デバイス ,  *低温接合

分類 (2件)： 光デバイス一般  (BD06010L) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 低温接合 ,  光デバイス ,  応用 ,  最新動向 ,  原子拡散 ,  ウエハ ,  室温 ,  エタロン