{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}{{ad01_expire_date}}
{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}{{ad02_expire_date}}
文献
J-GLOBAL ID:201302232676825900   整理番号:13A1161964

低温接合技術と光デバイス応用最新動向 原子拡散接合法によるウエハ室温接合技術とエタロンフィルタへの応用

著者 (6件):
資料名:
号: 379  ページ: 88-92  発行年: 2013年07月10日
JST資料番号: Y0019A  ISSN: 0286-9659  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
原子層拡散接合法は,接合させるウェハの双方にスパッタ法等で金属薄膜を形成後,同一真空中もしくは大気中に取出した後に薄膜を相互に接触させ,ウェハを接合させる方法である。この金属薄膜をAuもしくはAuを主成分とする合金とした場合には,大気中でも接合させることができる。ここでは,この低温接合類似の原子層拡散接合法の基本プロセスと接合性能を示し,この手法を用いて作製した光通信用のエタロンフィルタを紹介した。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
光デバイス一般  ,  固体デバイス製造技術一般 

前のページに戻る