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J-GLOBAL ID：201302232722796260   整理番号：13A1843656

液体ケイ素における電子運動量密度

Electron momentum density in liquid silicon

著者 (11件)： MATSUDA K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NAGAO T. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAJIHARA Y. (Hiroshima Univ., Higashi Hiroshima, JPN) ,  INUI M. (Hiroshima Univ., Higashi Hiroshima, JPN) ,  TAMURA K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NAKAMURA J. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMURA K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  YAO M. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ITOU M. (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., Hyogo, JPN) ,  SAKURAI Y. (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., Hyogo, JPN) ,  HIRAOKA N. (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 88  号： 11  ページ： 115125.1-115125.7  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 元素ケイ素(Si)は固体状態では典型的な半導体である。融解すると,Siは半導体-金属転移を起こす。モル体積は縮小し,最近隣配位数は減少する。電気伝導率は20倍に急増して,10⁴Ω^-1cm^-1となり,これは通常の液体金属の値に近い。ここでは,SPring-8の中性子を利用してCompton散乱の実験を行い,その結果を利用して,電子運動量密度(EMD)の積分とComptonプロフィルとの関係から液体ケイ素におけるEMDを近似的に求めた。観測された融解時の価電子EMDの変化はSiの半導体-金属転移の結果として起こり,結晶SiのJonesバンドの崩壊によって説明することが出来る。しかし,液体SiのEMD特性の形は相当に広がっていて,固体のα-Siの特性と似ている。ComptonプロフィルのFourier変換解析から液体Siにおける価電子状態は自由電子ガスの挙動とは著しく違っている。

シソーラス用語： *運動量密度 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  モル体積 ,  配位数 ,  金属-半導体転移 ,  電気伝導率 ,  中性子散乱 ,  Compton散乱 ,  価電子 ,  *液体ケイ素
準シソーラス用語： 半導体-金属転移

分類 (1件)： 液体金属の電子構造  (BM02030G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 液体ケイ素 ,  電子 ,  運動量密度